长鑫把晶体管“竖起来”：绕开EUV 的追赶路，会撼动存储三巨头吗？

本文来自微信公众号： 海豚研究 ，作者：海豚君，原文标题：《长鑫把晶体管“竖起来”：绕开 EUV 的追赶路，会撼动存储三巨头吗？》 长鑫科技宣布公司在DRAM器件、4F²架构和混合键合方向上的技术积累取得了重大突破，海外三大存储厂股价被“吓得”泥沙俱下。 市场担忧点：一项技术壁垒一旦被中国厂商突破，量产速度飞速；而4F²本身又是一项直接提升单位产出的技术，两者叠加，意味着国内DRAM的有效供给可能比此前预期增长得更快。 最受关注的两项变化：一是单元架构从主流的6F²切换到4F²的技术进展；二是支撑这一架构的自研VSG（Vertical Surrounded Gate，垂直环绕栅极）晶体管。 这两项变化的直接意义在于存储密度。同一工艺节点下，4F²的单元面积比6F²小约三分之一，相当于同样面积内可以多放约50%的